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1269AS-H-3R3M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

1269AS-H-3R3M=P2 product

1269AS-H-3R3M=P2

Chokes

AbgeschirmtLeistungsinduktivitätSMD

Der 1269AS-H-3R3M=P2 ist eine abgeschirmte Leistungsinduktivität aus der DFE252010C-Serie von Murata mit 3,3 µH in einem kompakten 2520 SMD-Gehäuse.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Betriebstemperaturen über 85°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung zur Berücksichtigung der Eigenerwärmung

Wichtige Specs

Induktivität
3,3 µH
Nennstrom
1,5 A
Gleichstromwiderstand
228 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8504508000.0

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

Murata-company-16.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 1269AS-H-3R3M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet eine Induktivität von 3,3 µH (±20%), einen maximalen Gleichstromwiderstand von 228 mΩ und einen Nennstrom von 1,5 A.