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1286AS-H-1R0M=P2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

1286AS-H-1R0M=P2 product

1286AS-H-1R0M=P2

Chokes

LeistungsinduktivitätSMDGeschirmt

Der 1286AS-H-1R0M=P2 ist eine geschirmte Leistungsinduktivität aus Muratas DFE201612C-Serie mit 1,0 µH Induktivität und 2,5 A Nennstrom im kompakten 2016 SMD-Gehäuse.

Ideal für

  • Energieverwaltung
  • Unterhaltungselektronik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Betriebstemperaturen über 85°C

Vor der Verwendung prüfen

  • PCB-Layout für thermische Ableitung

Wichtige Specs

Induktivität
1,0 µH
Nennstrom
2,5 A
Gleichstromwiderstand
82 mΩ
Gehäuse
2016 (2,0 x 1,6 mm)

Compliance & Umwelt

RoHS
Y
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8504508000.0

Anwendung

EnergieUnterhaltungselektronik

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 1286AS-H-1R0M=P2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet 1,0 µH Induktivität, ±20% Toleranz, 82 mΩ maximalen Gleichstromwiderstand und einen Nennstrom von 2,5 A.