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18N10 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

18N10 product

18N10

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistungsschalter

Der GOFORD 18N10 ist ein 100V, 25A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Allgemeine Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die sehr niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
25 A
RDS(on)
< 53 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

b93019da3fd2248567db0f2c1410681d_products-detail.php.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 18N10 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der 18N10 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von GOFORD, der Trench-Technologie für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung nutzt.