18N20-252 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Goford Semiconductor | PartGenie

KI-Zusammenfassung

18N20-252 product

Der 18N20-252 ist ein 200V, 18A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252 (DPAK)-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten in Industrie- und Verbraucheranwendungen.

Ideal für

DC-DC-Wandler
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
Industrielle Aktoren

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ladungen oder extrem schnelle Schaltzeiten erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen
Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDSS: 200V
ID: 18A
RDS(on): 0,16Ω

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrielle Steuerung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 18N20-252 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von GOFORD, der für eine Drain-Source-Spannung von 200V und einen Dauerstrom von 18A ausgelegt ist.