Es handelt sich um einen galvanisch getrennten Einkanal-Gatetreiber von Infineon, der Kernlostransformator-Technologie für die Isolation in IGBT- und MOSFET-Anwendungen nutzt.
1ED3123MC12HXUMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Spitzenausgangsstrom
- 14,0 A
- Isolationsspannung
- 5,7 kV (rms)
- CMTI
- > 200 kV/µs
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
IndustrieLeistungselektronik
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für 1ED3123MC12HXUMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
