Ein galvanisch isolierter Einkanal-Gate-Treiber von Infineon für IGBTs, Si- und SiC-MOSFETs in Hochspannungsanwendungen.
1ED3321MC12NXUMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Spitzen-Ausgangsstrom
- +6 A / -8.5 A
- Isolationsspannung
- 5.7 kV (rms)
- Verzögerungszeit
- 85 ns
- CMTI
- > 300 kV/µs
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
IndustrieLeistungselektronik
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für 1ED3321MC12NXUMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
