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1N5711WS-7-F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

1N5711WS-7-F product

1N5711WS-7-F

Diodes - RF

SchottkySOD323Schnelles Schalten

Die 1N5711WS-7-F ist eine zuverlässige Schottky-Barriere-Diode im SOD323-Gehäuse, die sich hervorragend für schnelle Schaltvorgänge und Anwendungen mit geringer Kapazität eignet.

Ideal für

  • Signalgleichrichtung
  • Schnelle Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 15mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

Sperrspannung
70 V
Durchlassstrom
15 mA
Sperrverzugszeit
1.0 ns

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541100080.0

Anwendung

Allgemeine Signalverarbeitung

Datenblatt

Diodes-Inc.-1N5711WS-7-F.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 1N5711WS-7-F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine oberflächenmontierbare Schottky-Barriere-Diode, die für Hochgeschwindigkeitsschaltungen und signalverarbeitende Anwendungen optimiert ist.