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1N60G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

1N60G product

1N60G

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal600VSOT-223

Der 1N60G ist ein 600V, 1A N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-223-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Batterieschutz- und Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 1A
  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(ON) erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
600V
ID
1A
RDS(ON)
12Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrielle Steuerung

Datenblatt

9d3f5f653a6ad480a14580127fe2b240_2401261512_HXY-MOSFET-1N60G_C20611923.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 1N60G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der 1N60G ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für 600V und 1A ausgelegt ist.