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1N65G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

1N65G product

1N65G

FETs

MOSFET650VN-Kanal

Der UMW 1N65G ist ein 650V N-Kanal-MOSFET, der für allgemeine Hochspannungsschaltanwendungen geeignet ist.

Ideal für

  • Hochspannungsschaltung
  • Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen hohen Strom > 1A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen für das spezifische Gehäuse

Wichtige Specs

VDS
650V
ID
1A
RDS(ON)
8,5Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

9770346e1f370ab04968188874ef0e04_2311091735_UMW-Youtai-Semiconductor-Co---Ltd--1N65G_C404319.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 1N65G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 650V N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einem kontinuierlichen Drainstrom von 1A und einem Einschaltwiderstand von 8,5Ω.