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2012S KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2012S product

2012S

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET20VSOP-8

Der 2012S ist ein 20V N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für hocheffiziente synchrone Abwärtswandler optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Vdss
20 V
Id
12 A
Rds(on)
8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

d1fcac5644e7e12b1bd33e75d3ea3fdc_2307041438_HL-2012S_C7437076.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2012S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der 2012S ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte, der für Niederspannungs-Schaltanwendungen entwickelt wurde.