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25N50 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

25N50 product

25N50

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET500V25A

Der 25N50 ist ein 500V, 25A N-Kanal-MOSFET im TO-3P-Gehäuse, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Leistungsfaktorkorrektur

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die oberflächenmontierbare Komponenten erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
500 V
ID
25 A
RDS(on)
240 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

7d4de205195cb117b81a33eb7bbaf447_2311271011_HXY-MOSFET-25N50_C19267784.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 25N50 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der 25N50 ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit fortschrittlicher Trench-Technologie, der für einen niedrigen RDS(ON) und eine geringe Gate-Ladung optimiert ist.