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2DB1713-13 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2DB1713-13 product

2DB1713-13

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPTransistorSOT89Mittelleistung

Der 2DB1713-13 ist ein 12V PNP-Mittelleistungstransistor im SOT89-Gehäuse, optimiert für Schalt- und Verstärkeranwendungen.

Ideal für

  • Mittelleistungsschaltung
  • Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Kollektor-Emitter-Spannung von mehr als 12V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
-12 V
IC
-3 A
VCE(sat)
< -0,25 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290075.0

Anwendung

LeistungsschaltungVerstärkung

Datenblatt

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2DB1713-13 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Mittelleistungstransistor für Schalt- und Verstärkeranwendungen mit einer Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von -12V.