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2ED2101S06FXUMA1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2ED2101S06FXUMA1 product

2ED2101S06FXUMA1

Gate Drivers

Gate-Treiber650VInfineon

Der 2ED2101S06F ist ein 650V High-Side- und Low-Side-Gate-Treiber für Leistungs-MOSFETs und IGBTs mit integrierter Bootstrap-Diode.

Ideal für

  • Motorantriebe
  • Wechselrichter
  • Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit galvanischer Trennung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

Max. Offset-Spannung
650 V
Spitzenstrom (Source/Sink)
290 mA / 700 mA
Verzögerungszeit
90 ns

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
MSL2
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorantriebeNetzteile

Datenblatt

aedd2dccb49d2c00aacb75195dc9b8fa_2404071823_Infineon-Technologies-2ED2101S06FXUMA1_C3655605.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2ED2101S06FXUMA1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein Hochspannungs-Gate-Treiber-IC für N-Kanal-MOSFETs und IGBTs mit einer Spannungsfestigkeit von bis zu 650V.