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2KJ7110DFN KI-Analyse:
Spezifikationen, Anwendungen und Alternativen

KI-Zusammenfassung

2KJ7110DFN product

2KJ7110DFN

FETs

P-KanalMOSFETDFN1006-3

Der 2KJ7110DFN ist ein kompakter P-Kanal-MOSFET für platzsparende Schaltanwendungen in der Elektronik.

Ideal für

  • Unterhaltungselektronik
  • Signalumschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-0,66 A
RDS(ON)
< 500 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikAllgemeines Schalten

Datenblatt

e1383c23612b4d711f2e303a7a9062c2_2404081726_KEXIN-2KJ7110DFN_C499620.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

EDA-Symbol, PCB-Footprint und 3D-Modell für dieses Bauteil. Unterstützte Tools: Altium, KiCad, Eagle und mehr.

EDA Symbol
Schematic symbol for your EDA tool
Dateien holen
PCB Footprint
Land pattern for PCB layout
Dateien holen
3D Model
STEP file for mechanical design
Dateien holen

Anmeldung erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-MOSFET im DFN1006-3-Gehäuse, optimiert für Niederspannungs-Schaltanwendungen.