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2N5551 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2N5551 product

2N5551

Bipolar (BJT)

NPNBJTHochspannungSOT-23

Der 2N5551 ist ein NPN-Hochspannungstransistor mit 160V VCEO und 600mA IC, ideal für Schalt- und Verstärkeranwendungen.

Ideal für

  • Hochspannungsschaltung
  • Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Spannungen über 160V
  • Verlustleistung über 300mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung
  • Pinbelegung

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
600 mA
hFE
80 - 250
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
nan
MSL
nan
ECCN
nan
HTSUS
nan

Anwendung

StromversorgungIndustrieUnterhaltungselektronik

Datenblatt

fa46aeb68dfb4152bd21b1fb92ab388f.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2N5551 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der 2N5551 ist ein NPN-Bipolartransistor für Hochspannungsanwendungen, der häufig in Schalt- und Verstärkerschaltungen eingesetzt wird.