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2N5551G-B-AB3-R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2N5551G-B-AB3-R product

2N5551G-B-AB3-R

Discrete Semiconductor Products

NPNHochspannungSchalttransistorVerstärker

Der 2N5551G-B-AB3-R ist ein NPN-Hochspannungstransistor von UTC, der für Schalt- und Verstärkeranwendungen in Telefon- und Audioschaltungen optimiert ist.

Ideal für

  • Telefon-Schaltkreise
  • Allgemeine Verstärkeranwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 600mA Kollektorstrom
  • Hochleistungsschaltungen über 500mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistungsgrenzen im SOT-89-Gehäuse

Wichtige Specs

VCEO
160V
IC
600mA
hFE
150-240

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Telefon-SchaltkreiseVerstärker

Datenblatt

92be3c667ba4ce99ddba7578e15b6030.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2N5551G-B-AB3-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Transistor für hohe Spannungen, der für Schalt- und Verstärkeraufgaben entwickelt wurde und eine Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von 160V aufweist.