2N7002（丝印12W） Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | SHIKUES | PartGenie

KI-Zusammenfassung

2N7002（丝印12W） product

Der 2N7002 ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der sich ideal für das Schalten kleiner Lasten in tragbaren Geräten eignet.

Ideal für

Tragbare Geräte
Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

Hochstrom-Leistungswandlung
Umgebungen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung
Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS: 60 V
ID: 0,43 A
RDS(on): 3 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Tragbare Geräte

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2N7002（丝印12W） laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Zellentechnologie und integriertem ESD-Schutz.