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2N7002BKS,115 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2N7002BKS,115 product

2N7002BKS,115

MOSFETs - Single

MOSFETDualN-KanalTrench60V

Der 2N7002BKS ist ein dualer N-Kanal-Trench-MOSFET im kompakten SOT363-Gehäuse, ideal für platzsparende Schalt- und Treiberanwendungen.

Ideal für

  • Relais-Treiber
  • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
  • Low-Side-Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Verlustleistung von mehr als 295mW erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anbindung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60V
ID
300mA
RDS(on)
1,6Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

PowerGeneral

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2N7002BKS,115 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für schnelles Schalten in einem kleinen SOT363-Gehäuse ausgelegt ist.