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2N7002E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2N7002E product

2N7002E

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-23ESD-geschützt

Der 2N7002E ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für Schaltanwendungen mit geringer Leistung und integriertem ESD-Schutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriebetriebene Systeme
  • Kleinsignalschaltung
  • Relais-Treiber

Vermeiden, wenn

  • Hochstrom-Leistungsschaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
0,34 A
RDS(on)
5,0 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

2210311230_FUXINSEMI-2N7002E_C2844157.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2N7002E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für das Schalten kleiner Leistungen mit integriertem ESD-Schutz.