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2N7002ET1G-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2N7002ET1G-ES product

2N7002ET1G-ES

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalSOT-2360V

Der 2N7002ET1G-ES ist ein 60V, 300mA N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC-DC-Wandlung.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Lastschalter
  • Tragbare Elektronik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 300mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
0.3 A
RDS(on)
1.85 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

8fa55effb1c821ad285b200d132ab9fd_2210271630_ElecSuper-2N7002ET1G-ES_C5224224.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2N7002ET1G-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für kompakte Anwendungen im SOT-23-Gehäuse entwickelt wurde.