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2N7002ET1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2N7002ET1G product

2N7002ET1G

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFETSOT-2360V

Der 2N7002ET1G ist ein Standard-N-Kanal-MOSFET mit 60V im SOT-23-Gehäuse, ideal für allgemeine Schaltaufgaben und Pegelwandlung in tragbaren Geräten.

Ideal für

  • Low-Side-Lastschalter
  • Pegelwandlung
  • DC-DC-Wandlung in tragbaren Geräten

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungs-Motoranwendungen
  • Schaltanwendungen über 310mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
310 mA
RDS(on)
3,0 Ohm @ 4,5V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

UnterhaltungselektronikEnergieverwaltung

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2N7002ET1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET von onsemi, der für Anwendungen mit geringer Leistung in einem kompakten SOT-23-Gehäuse optimiert ist.