Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Power-MV-Technologie, der in einem kompakten SOT-23-Gehäuse untergebracht ist.
2N7002EY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Drain-Source-Spannung
- 60 V
- Dauer-Drainstrom
- 0,3 A
- Einschaltwiderstand
- 2,5 Ω (bei 10V)
Compliance & Umwelt
- RoHS
- -
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
EnergieverwaltungAllgemeines Schalten
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für 2N7002EY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
