ProjektePreiseInsights

2N7002KN3T5G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2N7002KN3T5G product

2N7002KN3T5G

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VSOT-883

Der 2N7002KN3T5G ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im kompakten SOT-883-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen in tragbaren Geräten.

Ideal für

  • Notebooks
  • Smartphones
  • Batterieschutzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 156mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
300 mA
RDS(on)
1.7 Ω
Gehäuse
SOT-883

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Tragbare ElektronikBatteriemanagement

Datenblatt

ca5a60daf55cd0934a858a725e5bc1cf_2209161700_MSKSEMI-2N7002KN3T5G_C5174638.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2N7002KN3T5G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für schnelles Schalten mit 60V Durchbruchspannung und 300mA Strombelastbarkeit.