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2N7002PW,115 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2N7002PW,115 product

2N7002PW,115

FETs

MOSFETN-KanalTrenchSOT323

Der 2N7002PW ist ein 60V, 310mA N-Kanal-Trench-MOSFET im kompakten SOT323-Gehäuse, ideal für platzsparende Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
  • Low-Side-Lastschalter
  • Relais-Treiber

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die höhere Ströme oder niedrigere RDS(on)-Werte erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Stellen Sie sicher, dass der NRND-Status keine Auswirkungen auf langfristige Produktionspläne hat.

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
310 mA
RDS(on)
1,6 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Anwendung

IndustrieVerbraucher

Datenblatt

NXP-Semiconductors-company-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2N7002PW,115 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Trench-MOSFET, der für Hochgeschwindigkeitsschaltvorgänge in Kleinsignalanwendungen entwickelt wurde.