Ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrige Gate-Ladung und effizientes Schaltverhalten ausgelegt ist.
2N7002PW KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- Vdss
- 60 V
- Id
- 0,3 A
- RDS(on)
- 1,85 Ohm
Compliance & Umwelt
- RoHS
- Not applicable
- REACH
- Vendor Undefined
- MSL
- Not Applicable
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0000
Anwendung
EnergieverwaltungAllgemeines Schalten
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für 2N7002PW laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
