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2N7002VC-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2N7002VC-7 product

2N7002VC-7

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual-KanalN-KanalSOT563

Der 2N7002VC-7 ist ein dualer N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im kompakten SOT563-Gehäuse, der sich für platzkritische Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit eignet.

Ideal für

  • Platzsparende Schaltanwendungen
  • Automobil- oder Industriedesigns mit hoher Zuverlässigkeit

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die 150 mW Verlustleistung überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Schwellenspannung

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
60 V
Kontinuierlicher Drain-Strom
280 mA
Gehäuse
SOT563

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

Allgemeines Schalten

Datenblatt

Diodes-Inc.-2N7002VC-7.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2N7002VC-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Diodes Incorporated, der für niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten in einem kleinen SOT563-Gehäuse ausgelegt ist.