ProjektePreiseInsights

2N7002WT1G-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2N7002WT1G-ES product

2N7002WT1G-ES

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VSOT-323

Der 2N7002WT1G-ES ist ein 60V N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-323-Gehäuse, der für effizientes Schalten und DC-DC-Wandler optimiert ist.

Ideal für

  • Kleinsignalschaltung
  • DC-DC-Wandlung
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 300mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Schwellenspannung

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
0,3 A
RDS(on)
1,85 Ohm (Typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

a7adc3f7b1183969b1ef2e82fd460a4b_2210271630_ElecSuper-2N7002WT1G-ES_C5224239.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2N7002WT1G-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand ausgelegt ist.