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2SA1020G-Y-AB3-R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SA1020G-Y-AB3-R product

2SA1020G-Y-AB3-R

Discrete Semiconductor Products

PNPTransistorLeistung

Der 2SA1020G-Y-AB3-R ist ein PNP-Leistungstransistor im SOT-89-Gehäuse, der für Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Leistungsverstärkung
  • Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen
  • Spannungen über 50V oder Ströme über 2A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Belastungsgrenzen
  • Pin-Layout

Wichtige Specs

VCEO
-50 V
IC
-2 A
hFE
120-240

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeine Schaltanwendungen

Datenblatt

1911244db3e7297da4225a69cac84721.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SA1020G-Y-AB3-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein PNP-Silizium-Epitaxial-Transistor von UTC für Leistungsverstärker und Schaltanwendungen.