ProjektePreiseInsights

2SA1416S-TD-E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SA1416S-TD-E product

2SA1416S-TD-E

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPBipolar100V1APCP

Der 2SA1416S-TD-E ist ein PNP-Bipolartransistor für hohe Spannungen im kompakten PCP-Gehäuse, ideal für platzsparende Schalt- und Leistungsanwendungen.

Ideal für

  • Hochdichte Hybrid-ICs
  • Schnelle Schaltanwendungen
  • Leistungsmanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit >1A Dauerstrom
  • Umgebungen mit hohen Temperaturen ohne Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte
  • hFE-Rang-Klassifizierung

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
-100 V
IC
-1 A
Gehäuse
PCP (SC-62)

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

LeistungsmanagementAllgemeine Schaltanwendungen

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SA1416S-TD-E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein PNP-Bipolartransistor von onsemi, konzipiert für hochdichte Hybrid-ICs, mit -100V VCEO und -1A Kollektorstrom.