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2SA2013-TD-E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SA2013-TD-E product

2SA2013-TD-E

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPBipolarSOT-89Hochgeschwindigkeit

Der 2SA2013-TD-E ist ein leistungsstarker PNP-Bipolartransistor, der für schnelles Schalten und effizientes Energiemanagement in kompakten Schaltungen optimiert ist.

Ideal für

  • Relais-Treiber
  • Motorsteuerung
  • Blitzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die die Grenzwerte von -50V oder -4A überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistung

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
-50 V
IC
-4 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

Anwendung

MotorsteuerungEnergieverwaltung

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SA2013-TD-E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Bipolartransistor von onsemi, der für Anwendungen mit hoher Schaltgeschwindigkeit und hoher Strombelastbarkeit entwickelt wurde.