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2SB1123 KI-Analyse:
Spezifikationen, Anwendungen und Alternativen

KI-Zusammenfassung

2SB1123 product

2SB1123

Bipolar (BJT)

PNPTransistorSOT-89Schalten

Der 2SB1123 ist ein PNP-Silizium-Epitaxial-Planar-Transistor im SOT-89-Gehäuse, der für Schalt- und Verstärkeranwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über -25V VCEO
  • Anwendungen, die extreme thermische Stabilität ohne Kühlung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • hFE-Verstärkungsklassifizierung (S: 140-280, T: 200-400)

Wichtige Specs

VCEO
-25 V
IC
-1,5 A
Ptot
1 W

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Elektronik

Datenblatt

05b9ba3dc230fc2d8513961723068320_2001071134_Shikues-2SB1123_C475458.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

EDA-Symbol, PCB-Footprint und 3D-Modell für dieses Bauteil. Unterstützte Tools: Altium, KiCad, Eagle und mehr.

EDA Symbol
Schematic symbol for your EDA tool
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PCB Footprint
Land pattern for PCB layout
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3D Model
STEP file for mechanical design
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Anmeldung erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der 2SB1123 ist ein PNP-Silizium-Epitaxial-Planar-Transistor, der für Schalt- und Verstärkeraufgaben in verschiedenen elektronischen Geräten verwendet wird.