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2SB1151L-Y-T60-K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SB1151L-Y-T60-K product

2SB1151L-Y-T60-K

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPTransistorTO-126Leistung

Der 2SB1151L-Y-T60-K ist ein PNP-Leistungstransistor, der für Anwendungen mit hohem Strom und niedriger Sättigungsspannung im TO-126-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Allgemeine Verstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine SMD-Montage erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
-60 V
IC
-5 A

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrielle Steuerung

Datenblatt

56070ee085c270a577dc8fa6ae4060f9_2212091108_UTC-Unisonic-Tech-2SB1151L-Y-T60-K_C5310379.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SB1151L-Y-T60-K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Siliziumtransistor von UTC, der für Hochstrom-Schalt- und Verstärkeranwendungen entwickelt wurde.