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2SB1260G-Q-AB3-R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SB1260G-Q-AB3-R product

2SB1260G-Q-AB3-R

Integrated Circuits (ICs)

PNPLeistungstransistorSOT-89

Der 2SB1260G-Q-AB3-R ist ein PNP-Leistungstransistor von UTC, der für Anwendungen mit hoher Spannung und hohem Strom optimiert ist.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit >0,5W Dauerverlustleistung ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Pinbelegung (B-C-E)

Wichtige Specs

VCEO
-80 V
IC
-1 A
hFE
120-270

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungAllgemein

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SB1260G-Q-AB3-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein PNP-Silizium-Leistungstransistor für Hochspannungs- (80V) und Hochstromanwendungen (1A) im SOT-89-Gehäuse.