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2SB1386 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SB1386 product

2SB1386

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPBJTSOT-89Schalten

Der 2SB1386 ist ein PNP-Bipolartransistor für Hochstrom-Schaltanwendungen im SOT-89-Gehäuse.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Niederspannungs-Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen über 100MHz
  • Anwendungen, die mehr als 500mW Verlustleistung ohne Kühlung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • hFE-Rang

Wichtige Specs

VCEO
-20 V
IC
-5 A
hFE
82-390
Gehäuse
SOT-89

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeines Schalten

Datenblatt

aa314b3d21647f593510d769629d4fd6_2302130930_LGE-2SB1386_C5359881.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SB1386 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der 2SB1386 ist ein PNP-Bipolartransistor (BJT) von LGE, der für niedrige Kollektor-Sättigungsspannungen optimiert ist.