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2SB1386G-R-AB3-R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SB1386G-R-AB3-R product

2SB1386G-R-AB3-R

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPTransistorSOT-89

Der 2SB1386G-R-AB3-R ist ein PNP-Siliziumtransistor für Niederfrequenzanwendungen mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von -20V und einem Strom von -5A im SOT-89-Gehäuse.

Ideal für

  • Niederfrequenzschaltungen
  • Allgemeine Verstärkeranwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen
  • Anwendungen mit mehr als 20V VCEO

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement des SOT-89-Gehäuses

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
-20 V
IC
-5 A
hFE-Bereich
180-390

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Anwendungen

Datenblatt

180262ada3343ad95d065c2b016879dc_2212091108_UTC-Unisonic-Tech-2SB1386G-R-AB3-R_C5310371.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SB1386G-R-AB3-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Transistor von UTC, der für niederfrequente Anwendungen mit niedriger Sättigungsspannung optimiert ist.