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2SB649A-C KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SB649A-C product

2SB649A-C

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPTO-126Leistungstransistor

Der 2SB649A-C ist ein PNP-Leistungstransistor im TO-126-Gehäuse, der für niederfrequente Verstärkeranwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Niederfrequenz-Leistungsverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement-Anforderungen

Wichtige Specs

VCEO
-160 V
IC
-1,5 A
hFE
100-200

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungsverstärkung

Datenblatt

d71902b271b54978d5244516d4e7bbcc_1810181649_Foshan-Blue-Rocket-Elec-2SB649A-C_C305400.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SB649A-C laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Silizium-PNP-Transistor im TO-126-Kunststoffgehäuse, der hauptsächlich für niederfrequente Leistungsverstärkungen eingesetzt wird.