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2SB649AD-C KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SB649AD-C product

2SB649AD-C

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPTO-252Leistungstransistor

Der 2SB649AD-C ist ein PNP-Leistungstransistor im TO-252-Gehäuse, optimiert für Niederfrequenzverstärkung.

Ideal für

  • Niederfrequenz-Audio-Leistungsverstärkung
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenz-RF-Anwendungen
  • Schaltungen, die NPN-Polarität erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • hFE-Anpassung für komplementäre Paare

Wichtige Specs

VCEO
-160 V
IC
-1.5 A
hFE
100-200

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungsverstärkung

Datenblatt

1e69f230544e6268854c96df5166f9c3_1912111437_Foshan-Blue-Rocket-Elec-2SB649AD-C_C358469.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SB649AD-C laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Silizium-PNP-Leistungstransistor von Blue Rocket im TO-252 (D-PAK) Gehäuse.