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2SB649AG-C-AB3-R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SB649AG-C-AB3-R product

2SB649AG-C-AB3-R

Discrete Semiconductor Products

PNPBJTLeistungstransistor

Der 2SB649AG-C-AB3-R ist ein PNP-Bipolar-Leistungstransistor von UTC für niederfrequente Verstärkeranwendungen.

Ideal für

  • Niederfrequenz-Leistungsverstärker

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr des SOT-89 Gehäuses

Wichtige Specs

VCEO
160V
IC
1,5A
hFE
100-200

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungsverstärker

Datenblatt

e02fa6742f9289d2ca2b1aeb016df1aa.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SB649AG-C-AB3-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein PNP-Silizium-Leistungstransistor im SOT-89 Gehäuse mit 160V Kollektor-Emitter-Spannung und 1,5A Kollektorstrom.