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2SB772S-P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SB772S-P product

2SB772S-P

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPTO-92Leistungstransistor

Der 2SB772S-P ist ein PNP-Leistungstransistor im TO-92-Gehäuse, der für Verstärker- und Schaltanwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Audioverstärkung
  • Relais-Ansteuerung
  • Spannungsregelung

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen über 80MHz
  • Dauerströme über 3A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung
  • hFE-Klasse

Wichtige Specs

VCEO
-30 V
IC
-3.0 A
hFE (P-Klasse)
160-320

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AudioStromversorgung

Datenblatt

70091495f8f029dbeb69b7f5d23ff55a_2108072030_Foshan-Blue-Rocket-Elec-2SB772S-P_C2844032.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SB772S-P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein PNP-Siliziumtransistor im TO-92-Kunststoffgehäuse für mittlere Leistungsanforderungen.