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2SC3356G-A-AE2-R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SC3356G-A-AE2-R product

2SC3356G-A-AE2-R

Discrete Semiconductor Products

NPNTransistorHFSOT-23

Der 2SC3356G-A-AE2-R ist ein NPN-Siliziumtransistor, der für rauscharme Hochfrequenzverstärker und Schaltanwendungen in kompakten Schaltungen optimiert ist.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Signalverstärkung
  • Niederspannungsschaltung
  • Batteriebetriebene tragbare Geräte

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsschaltanwendungen
  • Schaltungen, die eine Kollektor-Emitter-Spannung von >12V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei hoher Bauteildichte
  • hFE-Rang-Kompatibilität

Wichtige Specs

VCEO
12 V
IC
100 mA
fT
7 GHz

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS

Anwendung

HF-VerstärkungAllgemeines Schalten

Datenblatt

1808280111_UTC-Unisonic-Tech-2SC3356G-A-AE2-R_C171546.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SC3356G-A-AE2-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Siliziumtransistor von UTC, der speziell für rauscharme Hochfrequenzverstärker und Niederspannungsschaltanwendungen entwickelt wurde.