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2SC3647T-TD-E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SC3647T-TD-E product

2SC3647T-TD-E

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPN100V2ASOT-89

Der 2SC3647T-TD-E ist ein 100V, 2A NPN-Bipolartransistor im SOT-89-3-Gehäuse, der für kompakte Hybrid-IC-Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Hybrid-ICs
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit >500mW Verlustleistung ohne Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeauslegung
  • Verstärkungsfaktor-Klasse

Wichtige Specs

VCEO
100 V
IC
2 A
hFE
200-400
Gehäuse
SOT-89-3

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Hybrid-ICsSchaltanwendungen

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SC3647T-TD-E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Bipolartransistor für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen, der FBET- und MBIT-Prozesse für kompakte Designs nutzt.