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2SC3649T-TD-E KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SC3649T-TD-E product

2SC3649T-TD-E

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNBipolar160V1,5A

Der 2SC3649T-TD-E ist ein NPN-Bipolartransistor von onsemi, der für Anwendungen mit hoher Dichte entwickelt wurde, die eine hohe Durchbruchspannung und Strombelastbarkeit erfordern.

Ideal für

  • Hochdichte Hybrid-ICs
  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Spannungsregelung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die 1,5A Dauerstrom überschreiten
  • Hochfrequenz-HF-Anwendungen außerhalb seines fT-Bereichs

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Kompatibilität des hFE-Rangs

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
1,5 A
hFE
200-400

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Anwendung

Allgemeine AnwendungenEnergieverwaltung

Datenblatt

ON-Semiconductor-company-79.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SC3649T-TD-E laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Bipolartransistor im PCP-Gehäuse (SOT-89), der für hochdichte Hybrid-ICs unter Verwendung von FBET- und MBIT-Prozessen optimiert ist.