ProjektePreiseInsights

2SC5876U3T106Q KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SC5876U3T106Q product

2SC5876U3T106Q

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNTransistorROHMSOT-323

Der 2SC5876U3T106Q ist ein 60V, 500mA NPN-Mittelleistungstransistor von ROHM, der für schnelles Schalten und niederfrequente Verstärkung im kompakten SOT-323-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise
  • Niederfrequenz-Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit einer Verlustleistung deutlich über 200mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte
  • hFE-Rang-Klassifizierung

Wichtige Specs

Polarität
NPN
VCEO
60 V
IC
500 mA
Gehäuse
SOT-323

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeines SchaltenVerstärkung

Datenblatt

2532f026a61e477a9d4e705bec68eab1_2207121430_ROHM-Semicon-2SC5876U3T106Q_C509800.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SC5876U3T106Q laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Mittelleistungstransistor für schnelles Schalten und niederfrequente Verstärkung mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 60V und einem Kollektorstrom von 500mA.