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2SD1007Q KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SD1007Q product

2SD1007Q

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNBJT120VSOT-89

Der 2SD1007Q ist ein 120V NPN-Transistor im SOT-89-Gehäuse, der für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 0,7A
  • Schaltungen mit Spannungen über 120V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung im SOT-89-Gehäuse

Wichtige Specs

VCEO
120 V
IC
0,7 A
hFE
135-270

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeines Schalten

Datenblatt

5fa63ce847f493a905d98004d5c81b5d_2001050504_Shikues-2SD1007Q_C475482.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SD1007Q laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der 2SD1007Q ist ein NPN-Bipolartransistor von SHIKUES mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 120V und einem Kollektorstrom von 0,7A.