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2SD1664G-R-AB3-R KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SD1664G-R-AB3-R product

2SD1664G-R-AB3-R

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNTransistorMittlere Leistung

Der 2SD1664G-R-AB3-R ist ein NPN-Epitaxial-Planar-Transistor für mittlere Leistungen von UTC im SOT-89-Gehäuse.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Mittlere Leistungsverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen über 150MHz

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung im SOT-89-Gehäuse

Wichtige Specs

VCEO
32 V
IC
1 A
hFE-Bereich
180-390

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Anwendungen

Datenblatt

bedac91add11a72995d915eeb65956b7_2212091108_UTC-Unisonic-Tech-2SD1664G-R-AB3-R_C5310378.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SD1664G-R-AB3-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Siliziumtransistor für mittlere Leistungsanwendungen mit niedriger Sättigungsspannung.