2SD667L-C-T9N-K Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | UTC(Unisonic Tech) | PartGenie

KI-Zusammenfassung

2SD667L-C-T9N-K product

Der 2SD667L-C-T9N-K ist ein NPN-Silizium-Epitaxial-Transistor, der speziell für niederfrequente Leistungsverstärkeranwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

Niederfrequenz-Leistungsverstärkung
Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

Hochfrequenz-RF-Anwendungen
Anwendungen über 1A Kollektorstrom

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeabfuhr
Pinbelegung

Wichtige Specs

VCEO: 80 V
IC: 1 A
hFE-Rang: C (100-200)

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Leistungsverstärkung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SD667L-C-T9N-K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Transistor von UTC, der hauptsächlich als niederfrequenter Leistungsverstärker eingesetzt wird.