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2SD669 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SD669 product

2SD669

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNBJTTO-126

Der 2SD669 ist ein NPN-Bipolartransistor im TO-126-Gehäuse, der für Niederfrequenz-Leistungsverstärker optimiert ist.

Ideal für

  • Niederfrequenz-Leistungsverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VCEO
120 V
IC
1,5 A
PC
1 W

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungsverstärker

Datenblatt

b44d8d8d1774bbc55805fc8567d8ba14_2204111630_Jiangsu-Changjing-Electronics-Technology-Co---Ltd--2SD669_C2991987.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SD669 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Silizium-NPN-Leistungstransistor für Niederfrequenz-Verstärkeranwendungen.