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2SD669AD KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SD669AD product

2SD669AD

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNBJTLeistungstransistor

Der 2SD669AD ist ein Silizium-NPN-Leistungstransistor im TO-252-Gehäuse, der hauptsächlich für Niederfrequenz-Leistungsverstärkeranwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Niederfrequenz-Leistungsverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
1,5 A
hFE
60-320

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungsverstärkung

Datenblatt

94aa0a91ca1b0d581086f2bed4c833a3_datasheet.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SD669AD laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Silizium-NPN-Bipolartransistor (BJT) in einem TO-252-Kunststoffgehäuse, der für Niederfrequenz-Leistungsverstärker entwickelt wurde.