ProjektePreiseInsights

2SD880-Y KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SD880-Y product

2SD880-Y

Bipolar (BJT)

NPNBJTLeistungstransistorTO-220AB

Der 2SD880-Y ist ein NPN-Leistungstransistor im TO-220AB-Gehäuse, der hauptsächlich für Niederfrequenz-Leistungsverstärkeranwendungen konzipiert ist.

Ideal für

  • Niederfrequenz-Leistungsverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen
  • Neuentwicklungen mit Bedarf an langfristiger Verfügbarkeit

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement-Anforderungen
  • Lebenszyklusstatus

Wichtige Specs

VCEO
60 V
IC
3 A
hFE
60-300
Gehäuse
TO-220AB

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Leistungsverstärker

Datenblatt

MCCCS03270-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SD880-Y laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Bipolartransistor (BJT), der für Niederfrequenz-Leistungsverstärker entwickelt wurde und in einem TO-220AB-Gehäuse geliefert wird.