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2SD965 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

2SD965 product

2SD965

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNTransistorSOT-89Leistung

Der 2SD965 ist ein NPN-Silizium-Epitaxial-Planar-Transistor im SOT-89-Gehäuse, der für Anwendungen mit hohen Strömen und niedriger Sättigungsspannung ausgelegt ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Allgemeine Verstärkeranwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit VCEO > 22 V
  • Hochfrequenzanwendungen über 150 MHz

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung
  • Verstärkungs-Rank (R: 340-600, S: 560-1000)

Wichtige Specs

VCEO
22 V
IC
5 A
hFE
340 - 1000

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
Compliant
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

da162912748fab23f4e1083143649f38_2309191749_Foshan-Blue-Rocket-Elec-2SD965_C18186334.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SD965 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der 2SD965 ist ein NPN-Transistor im SOT-89-Gehäuse, der für hohe Strombelastbarkeit und geringe Sättigungsverluste optimiert ist.